ICPECVD 系統(tǒng)

簡(jiǎn)要描述：電感耦合等離子體（ICP）沉積系統(tǒng)，SENTECH SI 500 D 用于介電膜的高密度、低離子能量和低壓等離子體沉積，以及用于鈍化層的低損傷、低溫沉積。
SENTECH SI 500 D ICPECVD 系統(tǒng)代表了電感耦合等離子體（ICP）處理在研究和工業(yè)中等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積介電薄膜、非晶硅、SiC 和其他材料的優(yōu)勢(shì)。該系統(tǒng)包括 ICP 等離子體源 PTSA、一個(gè)動(dòng)態(tài)溫控基板電

產(chǎn)品型號(hào)：SI 500 D
廠商性質(zhì)：經(jīng)銷商
更新時(shí)間：2025-06-05
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主要功能與優(yōu)勢(shì)

高密度等離子體

SENTECH SI 500 D ICPECVD系統(tǒng)具有的等離子體性能，如介電膜的高密度、低離子能量和低壓等離子體沉積，以及鈍化層的低損傷、低溫沉積。

低應(yīng)力 ICPECVD

SiN低應(yīng)力ICPECVDx如GaN HEMT鈍化和SiOx用于溝槽填充，具有出色的均勻性和可重復(fù)性，適用于射頻和功率器件、光子學(xué)等應(yīng)用中的系統(tǒng)。

SENTECH專有的等離子體源技術(shù)

SENTECH 平面三重螺旋天線（PTSA）源是我們 ICP 工藝系統(tǒng)的功能。PTSA 源產(chǎn)生具有高離子密度和低離子能量的均勻等離子體，適用于高質(zhì)量和低損傷的 SiO ICPECVD 沉積2四3N4、a-Si、SiC、DLC 和摻雜層。

沉積層的出色性能

低蝕刻速率、高擊穿電壓、低應(yīng)力、無基板損傷以及極低的界面態(tài)密度，沉積溫度低于 100 °C，使沉積膜具有出色的性能。

動(dòng)態(tài)溫度控制

等離子體沉積過程中的襯底溫度設(shè)置和穩(wěn)定性是高質(zhì)量蝕刻的苛刻標(biāo)準(zhǔn)。具有動(dòng)態(tài)溫度控制功能的襯底電極與氦（He）背面冷卻和襯底背面溫度傳感相結(jié)合，可提供高質(zhì)量的層，即使在低溫下也能沉積。

SENTECH SI 500 D ICPECVD 系統(tǒng)代表了電感耦合等離子體（ICP）處理在研究和工業(yè)中等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積介電薄膜、非晶硅、SiC 和其他材料的

優(yōu)勢(shì)。該系統(tǒng)包括 ICP 等離子體源 PTSA、一個(gè)動(dòng)態(tài)溫控基板電極和一個(gè)受控的真空系統(tǒng)。從100 mm晶圓到直徑200 mm的各種基板，以及載體上的基板，都可以通過SENTECH SI 500 D內(nèi)置的靈活負(fù)載鎖來處理。單晶圓真空負(fù)載鎖定和機(jī)械夾緊保證了穩(wěn)定的條件，并允許直接切換工藝。

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