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詳細介紹
1. 產品概述
Pangea®A系列常規IBS設備由離子源柵極引出正離子并加速，中性束流撞擊樣品表面，濺射形成刻蝕圖像。由于等離子體的產生遠離晶圓空間，起輝不受非揮發性副產物的影響。這種物理方案，幾乎可以用來刻蝕任何固體材料，包括金屬、合金、氧化物、化合物、混合材料、半導體、絕緣體等。柵網拉出的離子束的能量和密度可以獨立控制，提升了工藝可控性；載片臺的角度可調整，實現離子束傾斜入射，可用于特殊圖案的刻蝕，也適用于側壁清洗等工藝。
2. 系統特性
Pangea®A系列適用于12英寸晶圓，配置大口徑離子源，刻蝕均勻性（1 σ）達到< 1%
樣品臺可偏轉（tilt），偏轉范圍：-90°到+80°，實現離子束傾斜入射
工藝過程中，樣品臺可自轉
可搭配多種傳輸模塊
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