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可為多種材料提供各向異性干法刻蝕工藝，兼容200mm以下所有尺寸的晶圓，快速更換到不同尺寸的晶圓工藝，電極的適用溫度范圍寬，-150°C至400°C。

等離子增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積PECVD(1) 應(yīng)用方向：高質(zhì)量PECVD沉積氮化硅和二氧化硅，用于光子學(xué)、電介質(zhì)層、鈍化以及諸多其它用途；用于高亮度LED生產(chǎn)的硬掩模沉積和刻蝕(2) 電阻絲加熱電極，最高溫度可達(dá)400°C或1200°C(3) 實(shí)時(shí)監(jiān)測清洗工藝， 并且可自動(dòng)停止工藝(4) 晶圓最大可達(dá)200mm，可快速更換硬件以適用于不同尺寸的晶圓。

槽式濕法刻蝕清洗設(shè)備 應(yīng)用領(lǐng)域：RCA清洗，濕法去膠，介質(zhì)層濕法刻蝕，金屬層濕法刻蝕，爐管前清洗等

充氮型程控烤膠機(jī) 產(chǎn)品性能： 1.充氮烤膠機(jī)是在普通基礎(chǔ)上增加密封蓋和氮?dú)庾⑷肟冢ＷC氮?dú)饩鶆蛲ㄈ肟灸z機(jī)內(nèi)部形成惰性氣體保護(hù)氣氛。 2.充氮烤膠機(jī)最高溫度可達(dá)到300℃，可實(shí)現(xiàn)控溫在±0.2℃以內(nèi)，溫度分辨率在0.1℃，表面溫度均勻性小于1%的精確控溫

實(shí)驗(yàn)型勻膠機(jī) 技術(shù)參數(shù)： 1.適用基片尺寸：小于1cm小碎片及到8寸標(biāo)準(zhǔn)晶圓，非標(biāo)準(zhǔn)基片可定制載物盤 2.自動(dòng)滴膠功能 3.支持去邊、背洗、勻膠、顯影、清洗、控溫等功能模塊個(gè)性化定制 4.轉(zhuǎn)速范圍：20-10000rpm 5.轉(zhuǎn)速分辨率：±1rpm 6.加速度可調(diào)范圍：20-50000rpm/s 7.單步時(shí)長：3000s 8.時(shí)間分辨率：0.1s