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等離子增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積PECVD

簡(jiǎn)要描述:等離子增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積PECVD(1) 應(yīng)用方向:高質(zhì)量PECVD沉積氮化硅和二氧化硅,用于光子學(xué)、電介質(zhì)層、鈍化以及諸多其它用途;用于高亮度LED生產(chǎn)的硬掩模沉積和刻蝕(2) 電阻絲加熱電極,最高溫度可達(dá)400°C或1200°C(3) 實(shí)時(shí)監(jiān)測(cè)清洗工藝, 并且可自動(dòng)停止工藝(4) 晶圓最大可達(dá)200mm,可快速更換硬件以適用于不同尺寸的晶圓。

  • 產(chǎn)品型號(hào):customized
  • 廠商性質(zhì):經(jīng)銷(xiāo)商
  • 更新時(shí)間:2024-09-06
  • 訪  問(wèn)  量: 791

詳細(xì)介紹

1. 產(chǎn)品概述

等離子增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積PECVD

2. 應(yīng)用方向

高質(zhì)量PECVD沉積氮化硅和二氧化硅,用于光子學(xué)、電介質(zhì)層、鈍化以及諸多其它用途;用于高亮度LED生產(chǎn)的硬掩模沉積和刻蝕

3. 技術(shù)參數(shù)

(1) 電阻絲加熱電極,最高溫度可達(dá)400°C或1200°C

(2) 實(shí)時(shí)監(jiān)測(cè)清洗工藝, 并且可自動(dòng)停止工藝

(3) 晶圓最大可達(dá)200mm,可快速更換硬件以適用于不同尺寸的晶圓

(4) 高導(dǎo)通的徑向(軸對(duì)稱(chēng))抽氣結(jié)構(gòu):確保提升了工藝均勻性和速率

(5) 增加了<500毫秒的數(shù)據(jù)記錄功能:可追溯腔室和工藝條件的歷史記錄

(6) 通過(guò)前端軟件進(jìn)行設(shè)備故障診斷,故障診斷速度快

(7) 用干涉法進(jìn)行激光終點(diǎn)監(jiān)測(cè):在透明材料的反射面上測(cè)量刻蝕深度 (例如硅上的氧化物),或者用反射法來(lái)確定非透明材料 (如金屬) 的邊界

(8) 用發(fā)射光譜(OES)實(shí)現(xiàn)較大樣品或批量工藝的終點(diǎn)監(jiān)測(cè):監(jiān)測(cè)刻蝕副產(chǎn)物或反應(yīng)氣體的消耗量的變化,以及用于腔室清洗的終點(diǎn)監(jiān)測(cè)

4. 企業(yè)簡(jiǎn)介

深圳市矢量科學(xué)儀器有限公司是集半導(dǎo)體儀器裝備代理及技術(shù)服務(wù)的高新技術(shù)企業(yè)。

致力于提供半導(dǎo)體制程工藝裝備、后道封裝裝備、半導(dǎo)體分析測(cè)試設(shè)備、半導(dǎo)體光電測(cè)試儀表及相關(guān)儀器裝備維護(hù)、保養(yǎng)、售后技術(shù)支持及實(shí)驗(yàn)室整體服務(wù)。

公司已授實(shí)用新型權(quán)利 29 項(xiàng),軟件著作權(quán) 14 項(xiàng),是創(chuàng)新型中小企業(yè)、科技型中小企業(yè)、規(guī)模以上工業(yè)企業(yè)。

 

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