1. 產(chǎn)品概述

MOCVD設(shè)備是通過(guò)將反應(yīng)物質(zhì)以有機(jī)金屬化合物氣體分子的形式，經(jīng)載帶氣體送到反應(yīng)室，進(jìn)行熱分解反應(yīng)而生長(zhǎng)出薄膜材料。應(yīng)用方向：Ga2O3,GaN, InP, GaAs, InSb, GaInNAs, II-VI等。

2. 設(shè)備用途/原理

應(yīng)用方向：Ga2O3,GaN, InP, GaAs, InSb, GaInNAs, II-VI等；

MOCVD設(shè)備是通過(guò)將反應(yīng)物質(zhì)以有機(jī)金屬化合物氣體分子的形式，經(jīng)載帶氣體送到反應(yīng)室，進(jìn)行熱分解反應(yīng)而生長(zhǎng)出薄膜材料；

加熱系統(tǒng)：采用鎢絲加熱，三溫區(qū)控制，最高溫度至1400℃；

反應(yīng)腔室內(nèi)托盤與噴淋頭間距可調(diào)（范圍覆蓋5 mm至25 mm）；

工藝過(guò)程中，具有實(shí)時(shí)晶圓表面溫度和晶圓翹曲度監(jiān)測(cè)功能；

搭載溫度監(jiān)測(cè)系統(tǒng)，可實(shí)時(shí)掃描晶圓溫度mapping圖。

3. 設(shè)備特點(diǎn)

從研發(fā)到大規(guī)模生產(chǎn)；

襯底尺寸：3x2 inch、1x4 inch、1x3 inch、1x2 inch；

通過(guò)載波交換實(shí)現(xiàn)：6 x 2 inch、3 x 3 inch、1 x 6 inch；

Ga2O3薄膜生長(zhǎng)速率：>3um/h；

Ga2O3薄膜表面粗糙度：5umx5um范圍由AFM在Ga2O3襯底上測(cè)量 ≤1.0 nm。