碳化硅外延系統(tǒng)

簡要描述：MARS iCE115碳化硅外延系統(tǒng)主要用于4、6英寸SiC外延工藝。采用水平熱壁式技術(shù)路線，應(yīng)用優(yōu)良的控溫、控壓算法和專業(yè)的進氣、混流結(jié)構(gòu)，使得整個外延工藝過程中熱場和氣流場均勻穩(wěn)定。工藝指標如厚度均勻性、摻雜濃度均勻性、缺陷密度等均達到了行業(yè)優(yōu)良水平。

產(chǎn)品型號：MARS iCE115
廠商性質(zhì)：經(jīng)銷商
更新時間：2025-06-05
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詳細介紹

1. 產(chǎn)品概述

MARS iCE115 碳化硅外延系統(tǒng)，薄膜和厚膜外延兼容，工藝穩(wěn)定性高。

2. 設(shè)備用途/原理

MARS iCE115 碳化硅外延系統(tǒng)，薄膜和厚膜外延兼容，工藝穩(wěn)定性高，具備多層外延能力，氣流場和加熱場設(shè)計，工藝性能優(yōu)異，可靠的壓力控制系統(tǒng)，成膜質(zhì)量均一性好。

3. 設(shè)備特點

晶圓尺寸 4、6 英寸，適用材料碳化硅 SiC，適用工藝 N&P 碳化硅外延，適用域科研、化合物半導(dǎo)體。?碳化硅外延系統(tǒng)的工作原理主要依賴于化學(xué)氣相沉積（CVD）技術(shù)。?這一技術(shù)通過載氣將反應(yīng)氣體輸送到反應(yīng)室內(nèi)，在一定的溫度和壓力條件下，反應(yīng)氣體分解并發(fā)生化學(xué)反應(yīng)，形成中間化合物擴散到碳化硅襯底表面，從而生長出外延層。這種外延生長技術(shù)能夠有效地控制摻雜濃度和薄膜厚度，以滿足設(shè)計要求，同時減少襯底中的缺陷，提高器件良率。反應(yīng)室內(nèi)的氣流場和溫度場對碳化硅外延生長至關(guān)重要，因為它們直接影響外延層的質(zhì)量和均勻性。