1 產品概述:

   SiC用高溫離子注入設備，如愛發(fā)科（Ulvac）公司推出的IH-860DSIC，是專為SiC功率器件工藝制程中離子注入和激活退火技術難題設計的專用設備。該設備搭載了高溫ESC（靜電吸附卡盤），能夠在高溫環(huán)境下實現高能粒子的連續(xù)注入，有效解決了SiC晶圓在離子注入過程中易產生結晶缺陷的問題。

2 設備用途：

   SiC用高溫離子注入設備主要用于SiC功率器件（如SiC-SBD和SiC-MOSFET）的生產工藝中，特別是在離子注入和激活退火環(huán)節(jié)。通過該設備，可以實現高溫下的高能離子注入，控制注入離子的濃度和深度，從而改善SiC器件的物理特性、表面特性及電學特性。這對于提升SiC功率器件的性能和可靠性至關重要。

3 設備特點

  高溫處理能力：設備能夠在500℃的高溫下進行離子注入，有效控制SiC晶圓在注入過程中產生的結晶缺陷。

  高能粒子注入：支持高能量的離子注入，如1價離子可注入至350keV（Option: 430keV），2價離子可注入至700keV（Option: 860keV），滿足SiC晶圓對注入能量的高要求。

  高吞吐量：通過采用可調溫的靜電吸盤和雙工位系統結構，實現了晶圓在真空腔內的連續(xù)更換和高溫處理，將吞吐量提升至30枚/小時（支持直徑為75mm-150mm的晶圓），滿足量產需求。

  自動化與智能化：設備具備自動連續(xù)高溫處理注入的功能，減輕了操作員的負擔，同時提高了生產效率和一致性。
4 技術參數和特點：

•可實現自動連續(xù)高溫處理注入

•1價離子可注入至350keV、2價離子可注入至700keV

（Option：1價離子可注入至430keV、2價離子可注入至860keV）

•通過Dual-End-Station（雙工位）實現高產能；

（A系4"高溫ESC/B系3"高溫ESC、A系6"高溫ESC/B系6"常溫ESC等等，可配合客戶的希望就行規(guī)格配置）

•可減輕操作員的負擔，緊湊式設計

•可大范圍對應從試作到量產的各類需求