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GSE C200 多功能刻蝕機等離子體源設計，保證良好的刻蝕均勻性.GSE C200采用高密度等離子體源，刻蝕速率高、均勻性好、顆粒控制能力強、易維護、性能穩定。其在硅、氧化硅、氮化硅、氮化鎵、砷化鎵、磷化銦、鈮酸鋰、金屬、有機物等多種材料的刻蝕上性能優良。本刻蝕機已進入多家IC Fab主流產線以及化合物等新興應用量產產線，具有快速導產能力，同時針對大學、科研院所提供高性價比配置。

多腔等離子體刻蝕系統-概述： 1.方案是適用于最大 8 吋晶圓的多腔等離子體刻蝕工藝系統 2.系統可用于研發和小批量生產 3.系統兼容 8 吋、6 吋、4 吋、3 吋晶圓和不規則碎片；不同尺寸樣片之間的切換、無需反應腔的開腔破真空

CIF推出RIE反應離子刻蝕機，采用RIE反應離子誘導激發方式，實現對材料表面各向異性的微結構刻蝕。特別適合于大學，科研院所、微電子、半導體企業實驗室進行介質刻蝕、硅刻蝕、金屬刻蝕等方面研究。使用成本低，性價比高，易維護，處理快速高效。適用于所有的基材及復雜的幾何構形進行RIE反應離子刻蝕。

提供深硅蝕刻（DSiE）領域的MEMS，封裝和納米技術的廣泛應用，從光滑側壁工藝到高刻蝕速率腔刻蝕、高深寬比工藝和錐形通孔刻蝕，不需要更換腔室硬件就可以實現。

離子束刻蝕系統IBE 的靈活性、均勻性俱佳且應用范圍廣。我們的設備具有靈活的硬件選項，包括直開式、單襯底傳送模式和盒式對盒式模式。系統配置與實際應用緊密協調，以確保獲得速率更快且重復性更好的工藝結果。

可為多種材料提供各向異性干法刻蝕工藝，兼容200mm以下所有尺寸的晶圓，快速更換到不同尺寸的晶圓工藝，電極的適用溫度范圍寬，-150°C至400°C。