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干法刻蝕設(shè)備 APIOS NE-950EX 對應(yīng)LED量產(chǎn)用的干法刻蝕設(shè)備?NE-950EX?相對我司以往設(shè)備實現(xiàn)了140%的生產(chǎn)力。是搭載了ICP高密度等離子源和愛發(fā)科自有的星型電的干法刻蝕設(shè)備。

研究開發(fā)向NLD干法刻蝕設(shè)備NLD-570 研究開發(fā)向NLD干法刻蝕設(shè)備NLD-570，是搭載了愛發(fā)科磁性中性線（NLD- neutral loop discharge）等離子源的裝置，此NLD技術(shù)可實現(xiàn)產(chǎn)生低壓、低電子溫度、高密度的等離子。

高密度等離子刻蝕裝置ULHITETM NE-7800H 高密度等離子客戶裝置ULHITE NE-7800H是對應(yīng)刻蝕FeRAM、MRAM、ReRAM、PCRAM等器件所用的高難度刻蝕材料（強電介質(zhì)層、貴金屬、磁性膜等）的Multi-Chamber型低壓高密度等離子刻蝕設(shè)備。

量產(chǎn)用刻蝕設(shè)備NE-5700/NE-7800 量產(chǎn)用刻蝕設(shè)備NE-5700/NE-7800是可以對應(yīng)單腔及多腔、重視性價比擁有擴展性的刻蝕設(shè)備。

RIE-1C是用于半導(dǎo)體芯片故障分析的緊湊型刻蝕設(shè)備?？梢愿咝?、低損傷地去除鈍化膜。它操作簡單，樣品放置后只需按一下按鈕就可以完成整個過程?？梢苑旁谧烂嫔?，也可以選擇用支架。

RIE-300NR是一種理想的RIE等離子刻蝕設(shè)備，適用于加工ø300mm晶圓和多晶圓（ø3“×12，ø4“×8等），具有優(yōu)異的均勻性。該系統(tǒng)的設(shè)計旨在大限度地減少工廠空間需求，提高產(chǎn)量，大限度地延長正常運行時間，并通過可靠的硬件和便捷的服務(wù)降低擁有成本。