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多腔等離子體工藝系統(tǒng)-概述： 1.方案是適用于最大 8 吋晶圓的多腔等離子體沉積/刻蝕工藝系統(tǒng) 2.系統(tǒng)可用于研發(fā)和小批量生產(chǎn) 3.系統(tǒng)兼容 8 吋、6 吋、4 吋、3 吋晶圓和不規(guī)則碎片；不同尺寸樣片之間的切換、無需反應(yīng)腔的開腔破真空

低壓化學(xué)氣相沉積系統(tǒng)LPCVD 簡介： 1. 滿足石墨烯和碳納米管研究的高溫和快速冷卻要求 2. 直徑200毫米的石英室 3. 內(nèi)部石英管的設(shè)計便于拆卸和清洗 4. 基片尺寸可達直徑150毫米 5. 三區(qū)電阻爐，150毫米的均勻溫度區(qū)

MOCVD設(shè)備是通過將反應(yīng)物質(zhì)以有機金屬化合物氣體分子的形式，經(jīng)載帶氣體送到反應(yīng)室，進行熱分解反應(yīng)而生長出薄膜材料。應(yīng)用方向：Ga2O3,GaN, InP, GaAs, InSb, GaInNAs, II-VI等。

等離子增強化學(xué)氣相沉積PECVD(1) 應(yīng)用方向：高質(zhì)量PECVD沉積氮化硅和二氧化硅，用于光子學(xué)、電介質(zhì)層、鈍化以及諸多其它用途；用于高亮度LED生產(chǎn)的硬掩模沉積和刻蝕(2) 電阻絲加熱電極，最高溫度可達400°C或1200°C(3) 實時監(jiān)測清洗工藝， 并且可自動停止工藝(4) 晶圓最大可達200mm，可快速更換硬件以適用于不同尺寸的晶圓。