蜜臀AV一区二区,免费观看成人网站,亚洲人成亚洲人成在线,亚洲AⅤ无码一区二区波多野BT,国产老妇伦国产熟女老妇视频

多腔等離子體工藝系統(tǒng)-概述： 1.方案是適用于最大 8 吋晶圓的多腔等離子體沉積/刻蝕工藝系統(tǒng) 2.系統(tǒng)可用于研發(fā)和小批量生產(chǎn) 3.系統(tǒng)兼容 8 吋、6 吋、4 吋、3 吋晶圓和不規(guī)則碎片；不同尺寸樣片之間的切換、無需反應腔的開腔破真空

低壓化學氣相沉積系統(tǒng)LPCVD 簡介： 1. 滿足石墨烯和碳納米管研究的高溫和快速冷卻要求 2. 直徑200毫米的石英室 3. 內(nèi)部石英管的設計便于拆卸和清洗 4. 基片尺寸可達直徑150毫米 5. 三區(qū)電阻爐，150毫米的均勻溫度區(qū)

MOCVD設備是通過將反應物質(zhì)以有機金屬化合物氣體分子的形式，經(jīng)載帶氣體送到反應室，進行熱分解反應而生長出薄膜材料。應用方向：Ga2O3,GaN, InP, GaAs, InSb, GaInNAs, II-VI等。

等離子增強化學氣相沉積PECVD(1) 應用方向：高質(zhì)量PECVD沉積氮化硅和二氧化硅，用于光子學、電介質(zhì)層、鈍化以及諸多其它用途；用于高亮度LED生產(chǎn)的硬掩模沉積和刻蝕(2) 電阻絲加熱電極，最高溫度可達400°C或1200°C(3) 實時監(jiān)測清洗工藝， 并且可自動停止工藝(4) 晶圓最大可達200mm，可快速更換硬件以適用于不同尺寸的晶圓。